La primièra font de lutz LED, utilizant lo principi d'emission de lutz-d'una joncion semiconductora P-N, foguèt inventada al començament de las annadas 1960. Lo material utilizat a aquel moment èra GaAsP, emetent de lutz roja (λp=650nm). Amb un corrent de 20 mA, lo flux luminós èra pas que qualques milièrs de lumen, çò que resultèt en una eficacitat luminosa d'aperaquí 0,1 lumen/watt.
A la mitat de las annadas 1970, l'introduccion dels elements In e N permetèt als LED de produire de lutz verda (λp=555nm), jauna (λp=590nm), e irange (λp=610nm), e l'eficacitat luminosa foguèt melhorada a 1 lumen/watt.
Al començament de las annadas 1980, de fonts de lutz LED GaAlAs emergiguèron, permetent als LED roges d'aténher una eficacitat luminosa de 10 lumens/watt.
Al començament de las annadas 1990, lo desvolopament capitat de dos novèls materials-GaAlInP (emetent de lutz roja e jauna) e GaInN (emetent de lutz verda e blava)-a melhorat significativament l'eficacitat luminosa dels LED. En 2000, lo primièr produsiguèt de LED amb una eficacitat luminosa de 100 lumens per watt dins las regions rojas e irange (λp=615nm), del temps que lo segond produsiguèt de LED amb una eficacitat luminosa de 50 lumens per watt dins la region verda (λp=530nm).
